VCSEL
与其他类型的激光器相比,垂直腔体表面发射激光(VCSEL)具有多种优点。包括:
- 表面发射,在可寻址阵列中提供设计灵活性
- 激光波长的温度依赖性很低
- 卓越的可靠性
- 晶圆级制造工艺
这些特性使得VCSEL比传统的边发射二极管激光器和LED更适合一系列广泛应用。
艾迈斯半导体VCSEL(垂直腔体表面发射激光)技术包括外延结构和芯片设计、外延生长、前/后端处理、封装以及高级测试和仿真。艾迈斯半导体VCSEL能够在高达150°C的环境温度下正常工作。
与其他类型的激光器相比,垂直腔体表面发射激光(VCSEL)具有多种优点。包括:
这些特性使得VCSEL比传统的边发射二极管激光器和LED更适合一系列广泛应用。
艾迈斯半导体VCSEL(垂直腔体表面发射激光)技术包括外延结构和芯片设计、外延生长、前/后端处理、封装以及高级测试和仿真。艾迈斯半导体VCSEL能够在高达150°C的环境温度下正常工作。
VCSEL是用于LiDAR汽车和车内传感的关键元器件。VCSEL有几个关键优点:
如今,面部识别是3D传感的首要应用,但肯定不是唯一的应用。我们预测3D传感在未来将会走得更远,而VCSEL正是实现这一远景的关键元器件。以下是VCSEL在3D传感应用中的一些关键优点。
效率更高——VCSEL在室温下通常可实现45%以上的效率。每层VCSEL的堆叠材料将具有6V的能力。
无需匀光片照明器——采用芯片级微型光学元件阵列,可实现光束成形。此外,更小的封装尺寸还有助于降低芯片成本。
偏振——久经验证的线性偏振芯片适用于泛光照明器和结构光。随温度发生的变化波长仅为+/-2nm。信噪比提高了四倍。
低发散角——典型VCSEL的发散角大于20o,但是采用内部技术的艾迈斯半导体芯片可实现低至10o的发散角。
在支持现有VCSEL产品开发的同时,我们不断研究VCSEL先进技术,以满足市场需求,更好地为客户服务。
集成光学元件:采用光刻工艺对VCSEL倒装芯片的GaAs基板进行刻蚀。无VCSEL/光学组装过程,所有过程作为VCSEL晶圆厂制造工艺的一个组成部分来完成。此技术将显著降低人眼安全风险,也会降低封装成本(无玻璃匀光片或支架)和芯片尺寸(主要是高度)。使用背面发射技术,能够改善散热,并无需焊接引线。
可寻址阵列技术-顶部发射:可寻址阵列是艾迈斯半导体开发的另一项关键技术。可寻址芯片将常用于汽车LIDAR应用,特别是1D行扫描和2D区块扫描。可寻址芯片也将用于消费类应用的dToF。
长波长VCSEL (>1000nm):艾迈斯半导体正在着手研究长波长VCSEL在多应用领域(尤其是OLED屏下应用)中的开发。