免受杂散场干扰
免受杂散场干扰是艾迈斯半导体独有的专利技术，可保护传感器不受干扰磁场影响。由于SFI技术集成在IC中，无需增设屏蔽，因而降低了最终应用级别的成本。
杂散磁场的影响
杂散磁场可由磁体、电机、变压器或电源线等任何载流导体产生。在汽车行业，电动车辆和混动车辆（EV 和 HEV）中杂散磁场的数量和强度高于由内燃机 (ICE) 驱动的传统车辆，因而杂散磁场受到越来越多的关注。杂散磁场会对大多数基于霍尔效应技术的位置传感器产生影响。
艾迈斯半导体的位置传感器采用了独有的专利技术，可使其不受杂散磁场干扰。
由于免受杂散场干扰的技术集成在传感器 IC 中，芯片上不需要安装任何外部屏蔽。这有助于降低位置传感系统的物料清单和组装成本。
差分传感架构
艾迈斯半导体的位置传感器通过差分传感技术为系统设计人员提供内置的抗干扰性。
AS5147 等位置传感器集成了四个按北/东/南/西方向排列的霍尔元件。这些元件只对磁场的 Bz 矢量敏感，而不测量 Bx 和 By 矢量。也就是说，它们从本质上不受 x 和 y 方向杂散磁场变化的影响。
方向的外场对所有四个霍尔元件的影响几乎相同；传感器根据两对霍尔元件输出的差值计算位置。差分传感可消除几乎所有外部杂散磁场的影响。
使用基于差分传感原理的传感器具有多种优点
- 没有外部器件，因而无需增设屏蔽
- 系统安全性更高
- 可靠性更高
- 低成本的传感器系统
- 外形小巧