FSF - Process Technology

FSF - Process Technology description

艾迈斯半导体提供多种经过生产验证的行业标准工艺技术。核心技术包括0.18µm0.35µm0.80µm数字和混合信号CMOS、高压CMOSBICMOS工艺。由于所有基础工艺都与主要的半导体制造商兼容,因此可以轻松找到替代来源。

Roadmap

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FSF - Procsess Technology - Roadmap

工艺路线图

艾迈斯半导体通过广泛的专业工艺,展示自己在模拟和混合信号晶圆制造行业领域的领导地位。特殊工艺特性和可用的优化器件支持实施高效产品设计和高性能。

我们经过模拟混合信号验证的工艺技术和高精度工艺表征和建模,以及艾迈斯半导体的先进代工厂服务相结合,能够满足客户独有的业务需求。

Longevity

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FSF - Process Technology - Longevity

工艺寿命

艾迈斯半导体真正了解客户对极长的产品使用寿命和工艺的长期可用性的需求。作为受到广泛认可且成熟的汽车和医疗市场供应商,艾迈斯半导体长期提供工艺技术,且保证这些技术平均可使用超过15年。

CMOS

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FSF - Process Technology - CMOS

CMOS工艺

艾迈斯半导体专业CMOS工艺产品组合包含0.35µm0.80µm CMOS工艺系列。

 

0.35µm CMOS:

艾迈斯半导体的0.35µm CMOS工艺系列已从TSMC转移,完全兼容TSMC 0.35µm混合信号工艺。针对频率合成优化的高密度CMOS标准单元库、3层和4层路由可以确保实现高栅极密度。外围单元库支持3.3V5V电压,提供出色的驱动能力和ESD性能。合格的数字宏块(RAM、漫射可编程ROMDPRAM)应要求提供。

  • 0.35µm CMOS 工艺细节(C35)

  • 0.35µm 光学CMOS工艺细节 (C35O)

  • 0.35µm 技术选择指南 (C35)

 

0.80µm CMOS:

艾迈斯半导体具有成熟的0.80µm CMOS工艺系列,能够以较低的工艺复杂性提供模拟/混合性能。

  • 0.80µm CMOS 工艺细节 (CXB)
  • 0.80µm 技术选择指南 (CXB)

 

其他工艺选项

  • CMOS-LVT
  • 嵌入式内存:
    • NVM
    • RAM
    • ROM
    • OTP

low noise CMOS

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FSF - Process Technology - low noise

低噪声CMOS

艾迈斯半导体的高性能模拟低噪声CMOS工艺(“A30”)提供出色的噪声性能,通过采用艾迈斯半导体先进的0.35µm高压CMOS工艺系列,光学面积缩小0.9

 

0.30µm高性能模拟低噪声CMOS工艺:

A30高性能模拟低噪声CMOS工艺以艾迈斯半导体先进的0.35μm工艺系列为基础。先进的A30工艺采用艾迈斯半导体先进的200mm制造设备制造,确保实现非常低的缺陷密度和高成品率。它提供3-4个金属层和一套为超低噪音应用优化的有源器件。A30工艺还包括一套无源器件,例如高电阻聚乙烯和高精度多晶硅电阻、PIP电容以及经过改进的MOS变容器。

  • 0.30µm 高性能模拟低噪声CMOS工艺(A30)
  • 0.30µm 高性能模拟低噪声CMOS技术选择指南(A30)

high voltage CMOS

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FSF - Process Technology - High Voltage

高压工艺

我们的高压工艺平台支持0.35µm0.80µm工艺,针对复杂的混合信号电路(工作条件高达120V)进行优化。

除了标准的CMOS晶体管外,还有多种高压晶体管可供选择:高压NMOS、高压PMOS、高压DMOS晶体管、NFETS、隔离式NPN双极型晶体管,以及隔离式低压NMOS晶体管。

高压和标准器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的开关速度在汽车和工业市场中得到广泛应用。计划进一步应用于传感器的高精密模拟前端。

新工艺系列与我们经过验证的混合信号库结合之后,是高压设计的理想解决方案。

 

0.35µm 高压 CMOS:

艾迈斯半导体的“H35”工艺针对复杂的混合信号电路(工作条件高达120V)进行了优化

  • 0.35µm 高压CMOS(H35)
  • 0.35µm 高压技术选择指南(H35)

 

0.80µm 高压 CMOS:

艾迈斯半导体成熟的0.80µm高压CMOS工艺系列以较低的工艺复杂性,提供模拟/混合性能和高压功能。

  • 0.80µm 高压CMOS(CXZ)
  • 0.80µm 高压技术选择指南(CXZ)

SiGe BiCMOS

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FSF - Process Technology - BiCMOS

BiCMOS和SiGe BiCMOS技术

艾迈斯半导体的BiCMOSSiGe-BiCMOS工艺旨在支持具有高性能、低工艺复杂性的先进RF设计。

具有低噪声系数的高速SiGe HBT晶体管使得设计的工作频率最高可以达到7GHz,相比采用传统的CMOS RF工艺的设计,其电流消耗大幅降低。这些先进工艺提供具有出色的模拟性能(例如高fmax和低噪声)的高速双极型晶体管、互补型MOS晶体管,极低的寄生线性电容、线性电阻和螺旋电感。针对这个工艺中的所有有源、无源和寄生器件进行表征和建模,由此获得不同电路模拟器的模拟模型,以便能够充分利用这些新工艺。

 

0.35µm SiGe-BiCMOS:

艾迈斯半导体的0.35μm SiGe-BiCMOS工艺以行业标准的0.35μm混合信号CMOS工艺为基础,额外采用高性能模拟Si-Ge HBT晶体管模块。这些先进RF工艺提供具有出色的模拟性能(例如高fmax和低噪声)的高速HBT晶体管、互补型MOS晶体管,以及可选的5V I/O CMOS晶体管。艾迈斯半导体先进的设计工具(hitkit)中采用的全套准确建模的模拟和RF器件是对这一高性能工艺的补充。它包括高线性精密电容(聚乙烯/聚乙烯或金属/金属版本)、线性电阻、高质量变容器和厚金属4螺旋电感。

  • 0.35µm SiGe-BiCMOS 工艺 (S35)
  • 0.35µm SiGe-BiCMOS 技术选择指南 (S35)

embedded flash

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FSF - Process Technology - Embedded Flash

0.35µm 嵌入式闪存技术

艾迈斯半导体利用0.35µm嵌入式闪存技术,为汽车、工业和消费电子应用(例如RFID、智能卡、传感器接口、微控制器应用、调整应用等)中的SoC(系统级芯片)解决方案提供可靠的嵌入式非易失性存储器工艺。

 

嵌入式闪存关键特性

嵌入式闪存技术基于0.35µm CMOS工艺和0.35µm高压CMOS工艺,提供以下特性:

  • 极高的可靠性(在125°C下数据可保持超过20年,耐久性100k)

  • 耐受高达170°C高温(适用于汽车应用)

  • 低功耗

  • 完全可定制的闪存或EEPROM块

  • EEPROM存储块可以和静态RAM一样访问

  • 采用0.35µm CMOS基础工艺C35完全模块化,支持重复使用数字库和IP区块

 

描述

艾迈斯半导体利用几个额外的掩模等级,为客户提供了非常有竞争力的高性能工艺技术。这种非常可靠的嵌入式EEPROM/闪存块使用经过验证的基于PMOSNVM技术,在扩展温度范围内提供低功耗操作和高数据保持性。该存储块可以作为附加工艺模块用于0.35µm CMOS和高压CMOS工艺中,也可以配置为EEPROM块或闪存,无需更改工艺。

 

技术详情

  • 0.35µm 嵌入式 EEPROM CMOS 工艺 (C35EE)

  • 0.35µm 嵌入式EEPROM高压CMOS工艺(H35EE)