기술 포트폴리오
공정 로드맵
ams OSRAM은 광범위한 전문 공정으로 아날로그 및 혼합 신호 웨이퍼 제조 분야에서 업계 선두를 달리고 있습니다. 특수 공정 기능과 사용 가능한 최적화된 장치는 매우 효율적인 제품 설계 및 높은 성능을 지원합니다.
ams OSRAM은 검증된 아날로그 혼합 신호 공정 기술, 매우 정확한 공정 특성화 및 모델링, ams OSRAM의 첨단 파운드리 서비스를 통해 고객의 고유한 비즈니스 요구 사항을 충족합니다.
기반 기술
풀서비스 파운드리의 핵심 기술은 0.18µm CMOS 및 BCD, 0.35µm 디지털 및 혼합 신호 CMOS, 초저 노이즈 CMOS, 고전압 CMOS 및 SiGe-BICMOS 공정으로 구성됩니다. 모든 기본 공정은 주요 반도체 제조업체와 호환되기 때문에 최소한의 노력으로 대체 소싱을 쉽게 수용할 수 있습니다.
0.18µm CMOS / BCD
180nm CMOS 전문 아날로그, 혼합 신호 공정은 오스트리아에 소재한 ams OSRAM의 200mm 웨이퍼 팹 시설로 이전되었습니다. C18 공정은 웨어러블, 의료, 홈 자동화, 스마트카, 인더스트리 4.0과 같은 다양한 애플리케이션의 센서와 센서 인터페이스 장치에 적합합니다.
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0.18µm CMOS 공정 상세 정보(C18)
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0.18µm BCD 공정 상세 정보(BCD18)
0.35µm 디지털 및 혼합 신호 CMOS
ams OSRAM 0.35μm CMOS 공정 제품군은 TSMC로부터 라이선스를 획득한 0.35μm 혼합 신호 기반 공정과 완전히 호환됩니다. 합성, 3레이어 및 4레이어 라우팅에 최적화된 고밀도 CMOS 표준 셀 라이브러리는 최고의 게이트 밀도를 보장합니다. 주변 셀 라이브러리는 높은 구동 능력과 우수한 ESD 성능을 갖춘 3.3V 및 5V에서 사용할 수 있습니다. 인증된 디지털 매크로 블록(SPRAM, DPRAM, 프로그래밍 가능한 확산 ROM)을 사용할 수 있습니다. 다양한 고성능 아날로그-디지털 및 디지털-아날로그 컨버터를 동일한 ASIC에 통합할 수 있습니다.
- 0.35µm CMOS 공정 상세 정보(C35)
- 0.35µm Opto-CMOS 공정 상세 정보(C35O)
CMOS 공정을 위한 추가 공정 옵션
CMOS-LVT, 임베디드 메모리: NVM, RAM, ROM, OTP
초저 노이즈 CMOS
ams OSRAM의 고성능 아날로그 저노이즈 CMOS 공정('A30')은 우수한 노이즈 성능을 제공하며 ams OSRAM의 첨단 0.35µm 고전압 CMOS 공정 제품군보다 0.9배의 광학적 축소를 실현합니다.
0.30µm 고성능 아날로그 초저 노이즈 CMOS 공정
A30 고성능 아날로그 초저 노이즈 CMOS 공정은 ams OSRAM의 첨단 0.35μm 공정 제품군을 기반으로 합니다. 최신 A30 공정은 ams OSRAM의 200mm 제조 시설에서 제조되며 매우 낮은 결함 밀도와 높은 수율을 보장합니다. 초저 노이즈 애플리케이션 및 고성능 아날로그 애플리케이션에 최적화된 액티브 장치와 3-4 금속 레이어를 제공합니다. A30 공정은 고저항 폴리 레지스터, 고정밀 폴리 레지스터, PIP 커패시터, 향상된 아날로그 성능을 제공하는 개선된 MOS 벡터와 같은 패시브 장치도 포함합니다. 마스크 숍에서 이뤄진 광학적 축소를 통해 0.35µ CMOS 공정 대비 20%의 공간을 절약할 수 있습니다.
- 0.30µm 고성능 아날로그 저노이즈 CMOS(A30) 공정
고전압 공정
0.35µm 공정을 지원하는 ams OSRAM의 고전압 공정 플랫폼은 최대 120V 작동 조건의 복잡한 혼합 신호 회로에 최적화되었습니다.
표준 CMOS 트랜지스터 외에도 다양한 고전압 트랜지스터를 사용할 수 있습니다: HV-NMOS, -PMOS, -DMOS 트랜지스터, N-정션 FETS, 절연 NPN 양극 트랜지스터 및 절연 LV-NMOS 트랜지스터.
고전압 및 표준 장치를 동일한 칩에 쉽게 결합할 수 있습니다. 저전력 소모 및 빠른 스위칭 속도는 자동차 및 산업 분야에 광범위한 애플리케이션을 제공합니다. 그 밖에도 센서 및 변환기용 고정밀 아날로그 프론트엔드를 위한 애플리케이션을 목표로 합니다.
새로운 공정 제품군은 당사의 검증된 혼합 신호 라이브러리와 결합하여 고전압 설계에 이상적인 솔루션을 제공합니다.
0.35µm HV-CMOS:
ams OSRAM의 'H35' 공정은 최대 120V 작동 조건의 복잡한 혼합 신호 회로에 최적화되었습니다.
- 0.35µm 고전압 CMOS (H35)
SiGe BiCMOS 공정
ams OSRAM의 SiGe-BiCMOS 공정은 최고 성능과 최저 공정 복잡성으로 첨단 RF 설계를 지원하도록 설계되었습니다.
최저 노이즈 수치를 갖는 고속 SiGe HBT 트랜지스터는 기존의 CMOS RF 공정에 기반한 설계보다 훨씬 낮은 전류 소모로 최대 7GHz의 작동 주파수를 설계할 수 있습니다. 이러한 첨단 공정은 높은 Fmax와 저노이즈(NF)와 같은 우수한 아날로그 성능을 가진 고속 양극 트랜지스터, 상보형 MOS 트랜지스터, 매우 낮은 기생 선형 커패시터, 선형 레지스터, 나선형 인덕터를 제공합니다. 모든 액티브, 패시브 및 기생 장치의 신중한 특성화 및 모델링은 다양한 회로 시뮬레이터에 대한 시뮬레이션 모델을 생성하며 이러한 공정의 최적 사용을 보장합니다.
임베디드 플래시 기술
ams OSRAM은 0.35µm 임베디드 플래시 기술을 통해 RFID, 스마트카드, 센서 인터페이스, 마이크로컨트롤러 애플리케이션, 트리밍 애플리케이션 등과 같은 자동차, 산업 및 소비자 애플리케이션에 SoC(System on Chip) 솔루션을 위한 강력한 임베디드 비휘발성 메모리 공정을 제공합니다.
경쟁력 있는 고성능 공정 기술
ams OSRAM은 매우 경쟁력 있는 고성능 공정 기술을 제공합니다. 매우 안정적인 임베디드 EEPROM/플래시 블록은 검증된 PMOS 기반 NVM 기술을 사용하여 확장된 온도 범위에서 저전력 작동 및 높은 데이터 보존을 제공합니다. 메모리 블록을 0.35µm CMOS 및 고전압 CMOS 공정의 애드온 공정 모듈로 사용할 수 있으며 공정 변경 없이 EEPROM 블록 또는 플래시 메모리로 구성할 수도 있습니다.
기술 상세 정보
- 0.35µm 임베디드 EEPROM CMOS 공정(C35EE)
- 0.35µm 임베디드 EEPROM 고전압 CMOS 공정(H35EE)
임베디드 플래시 주요 특징
0.35µm CMOS 공정 및 0.35µm 고전압 CMOS 공정에 기반한 임베디드 플래시 기술은 다음과 같은 특징을 제공합니다:
- 매우 높은 안정성(데이터 보존 >20년 @ 125°C, 100k 읽기/쓰기 사이클)
- 최대 170°C의 고온 성능(자동차 애플리케이션에 적합)
- 초저전력 소모
- 완전 맞춤형 플래시 또는 EEPROM 블록
- 정적 RAM처럼 액세스 가능한 EEPROM 메모리 블록
- 0.35µm CMOS 기반 공정 C35를 통한 완전 모듈화로 디지털 라이브러리 및 IP 블록 재사용 가능