ams schedules 2016 multi-project wafer starts for analog foundry customers

ams、アナログ ファウンドリカスタマ向け2016年マルチプロジェクト ウェハ開始スケジュールを発表

2015/11/11

シャトル利用のお客様も、面積と性能が改善される真の拡張性を持つ高耐圧トランジスタが利用可能に

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ams(日本法人:amsジャパン株式会社、東京都港区、カントリーマネージャー 岩本桂一)のフルサービス・ファウンドリ事業部は本日、迅速かつコスト効率の高いICプロトタイプサービス、マルチプロジェクト ウェハ(MPW)またはシャトルランの2016年のスケジュールを発表しました。様々なお客様による複数の設計を単一のウェハ上に展開するプロトタイプサービスは、シャトルを利用する複数のお客様がウェハとマスクを共有することで、ファウンドリカスタマに大きなコストメリットをもたらします。

シャトルを利用するお客様も、最近発表された電圧拡張性を持つ高耐圧トランジスタの利用が可能になります。20Vから100Vまでのさまざまなドレイン・ソース間電圧レベル(VDS)に最適化され、大幅にオン抵抗を低減した、真に拡張性を持つトランジスタは、標準のトランジスタと比べて、占有面積の大幅な節約を可能にします。複雑な高耐圧アナログ/ミックスドシグナルアプリケーションを開発するファウンドリカスタマは、ウェハあたりのダイ数増加というメリットを享受することができます。

amsのクラス最高のMPWサービスは、0.18μmと0.35μmの全製造プロセスに対応しています。amsは、最先端のアナログ半導体プロセスの技術、製造およびサービスを提供するため、0.18μm CMOS (C18)プロセスでの4回のMPW、および1.8V、5V、20Vおよび50Vデバイスをサポートする0.18μm高耐圧CMOS (H18)先端技術での4回のMPWを行います。0.35μmプロセスでは、2016年に計14回のMPWを行う予定です。車載用および産業用の高耐圧設計に最適な0.35μm高耐圧CMOSプロセスファミリは、20V、50Vおよび120Vデバイス、そして真の電圧拡張性を持つトランジスタをサポートします。EEPROM組み込みを特長とした先進の高耐圧CMOSプロセス並びに 0.35μm SiGe-BiCMOS技術S35は、CMOS をベースにしたプロセスおよびamsのMPWサービスポートフォリオと完全な互換性を有しています。

2016年、amsはCMP、Europractice、Fraunhofer IISおよびMosisなどの世界中のビジネスパートナーとの連携により、全体でおよそ150のMPWを行います。アジア太平洋地域のお客様も、ローカルMPWプログラムパートナーである株式会社トッパン・テクニカル・デザインセンター(TDC)およびMEDs Technologiesを介して参加することが可能です。

MPWサービスを有効活用するために、amsのファウンドカスタマには完全なGDSIIデータを特定の期日にご提供いただくことになりますが、CMOSでは通常8週間、高耐圧CMOS、SiGe-BiCMOSおよびフラッシュ組み込みプロセスでは12 週間という短いリードタイムで、未試験のパッケージ化されたサンプルまたはダイをお受け取りいただけます。

すべてのプロセス技術は、Cadence、Mentor GraphicsまたはKeysight ADS設計環境に基づいたamsのベンチマークプロセスのデザインキット、hitkitによってサポートされています。hitkitでは、コンパレータ、オペアンプ、低電力A/DおよびD/Aコンバータなどのフルシリコンのスタンダードセル、周辺セルおよび汎用アナログセルを提供しています。カスタムアナログおよびRFデバイス、AssuraおよびCalibre用の物理検証ルールセット、並びに精密に特性付けされた回路シミュレーションモデルは、複雑で高性能なミックスドシグナルICの迅速な設計開始を可能にします。標準プロトタイプサービスに加えて、高度アナログIPブロック、メモリ(RAM/ROM)ジェネレーションサービスおよびセラミックまたはプラスティックのパッケージングサービスも提供しています。

フルサービス・ファウンドリの総合的なサービスおよび技術ポートフォリオに関する詳しい情報は、こちらのサイトをご覧ください。Full Service Foundry